东芝新型48V电气系统100V N沟道功率MOSFET问市

2019-12-25来源: EEWORLD关键字:东芝  MOSFET

www.qpgame.com_【官方首页】-亲朋棋牌东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于开始。

 

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新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

 

应用:

 

・汽车设备

电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)

 

特性:

 

・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装

・通过AEC-Q101认证

・低导通电阻:

RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)

RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)

・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装

 

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关键字:东芝  MOSFET 编辑:muyan 引用地址:http://news.kanmaya.com/qcdz/ic483908.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。www.qpgame.com_【官方首页】-亲朋棋牌如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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