单片机控制的动态数据缓存器的DRAM读/写控制过程

2018-03-15来源: eefocus关键字:单片机控制  动态数据  缓存器  DRAM    写控制

  读取一字节数据的程序段如下:

读取一字节数据的程序段
  
  读取数据时,T1先置1,其后的RD信号将行地址送到地址线AB上,并使D。触发器锁存Tl,Q,变成低电平00037.com_【官方首页】-澳门银河娱乐城,使RAS有效(低电平),实现行选通;再置TO为l,其后的RD信号将列地址送到AB上,并产生CAS信号,使欲读出单元的数据出现在DB上。RD失效的上升沿使CAS失效,同时,D2触发器置1,使D1清零,RAS也失效变为高电平。经过RC延迟放电,使欲读出单元的数据出现在DB上,D2重新清零,Q2又为高电平,恢复初始状态D1、D2均为零。
  
00037.com_【官方首页】-澳门银河娱乐城  程序最后送T0、T1低电平,封锁RAS和CAS,防止系统中其他读/写器动作使DRAM产生误动作。
  
  写数据过程与此类似。


关键字:单片机控制  动态数据  缓存器  DRAM    写控制 编辑:什么鱼 引用地址:http://news.kanmaya.com/mcu/article_2018031538236.html 00037.com_【官方首页】-澳门银河娱乐城本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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